在过去的一年里,各家存储大厂纷纷更新自家旗舰产品线,推出支持PCIe5.0协议的M.2NVMe固态硬盘,读写速度也飙上天,普遍来到10000MB/s以上。从今年开始,PCIe5.0固态硬盘将正式开始向主流人群普及,价格也将逐步亲民。比如铠侠近期发布的铠侠EXCERIAPLUSG4PCIe5.0(它还有个缩写叫VD10)就是最恰当的例子之一,在保证了远超PCIE4.0固态读写速度的同时,还能兼顾到价格、寿命和发热量,可以说是当下最有性价比的固态硬盘产品之一。铠侠PCIe5.0VD10共有1TB、2TB两个存储规格,除顺序写入速度稍有差异外其他参数基本一致,外包装也只有容量标识上的区别。硬盘外观沿用了铠侠标志性的蓝黑贴纸和蓝色PCB,采用M.22280规格。为保证兼容性,板上元器件集中在正面,背面只有一张白底黑字技术贴纸。撕下正面贴纸,可以看到贴纸不止是用来标明品牌和型号,内侧粘有一条铜箔用于辅助散热。这个散热规格称不上豪华,甚至还不如旗舰PCIe4.0固态普遍赠送的散热硅脂垫,但铠侠如此设计必有缘故,咱们可以在性能测试中看看这个散热能不能撑得住。没有了贴纸的遮挡,我们已经可以看到铠侠PCIe5.0VD10搭载了一枚来自群联的PS5031-E31-61主控,使用7nm工艺制造,显而易见这就是为低功耗、低发热准备的。这颗主控在型号和参数上都跟群联PS5031-E31T(顺序读写10800MB/s)接近,盲猜是后者的改进型号。位于PCB尾端的铠侠原厂闪存颗粒一共两颗,单颗512GB,一共1TB容量。铠侠官网称其为第八代KIOXIABiCSFLASH™3D闪存,具有218层3DNAND层数,接口速度高达3.6Gbps,速度和能耗都有很大进步。铠侠第八代BiCSFLASH™3D闪存采用218层结构和外围电路直接键合到存储阵列(CMOSdirectlyBondedtoArray)晶圆键合新技术,简称为CBA。在CBA技术的加持下,CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在各自最优化的条件下分别制造,然后键合在一起,从而实现更高的存储密度和更快的NAND闪存读写速度,使得两者都能得到优化,在功耗效率、性能、密度、成本效益和可持续性方面实现了重大飞跃。接下来我们来看看铠侠PCIe5.0VD10的真实性能表现。首先使用CrystalDiskMark跑一下读写,铠侠PCIe5.0VD10交出了10268.61MB/s读取、8459.55MB/s写入的成绩,比原厂标注的10000MB/s读取和7900MB/s要快一些,4K小文件读写也能来到5000MB/s级别,比相比目前主流的PCIe4.0固态要快上不少。在我看来CrystalDiskMark还是太过温柔了,我还是喜欢用AIDA64全盘写入来进行暴力测试,压力直接拉满,看看铠侠PCIe5.0VD10还能不能顶得住!从速度曲线来看,铠侠PCIe5.0VD10的这次表现让人非常满意,前期始终顶着速度上限在跑,测试到大约220GB才把它的SLC缓存吃满,之后也有超过900MB/s的写入速度,在写入640GB之后速度稍降,也能维持在500-700MB/s,直至写满共耗时28分42秒。换句话说,在把220GB的超大SLC缓存写爆之前,铠侠PCIe5.0VD10始终会跑在它的最高速度上;缓外写入虽然看起来骤降,但依然要比我用过的不少硬盘更优秀,比它们沦落到100+MB/s的“大号U盘”水平强太多了。此外值得注意的是,三段速度曲线都很平稳,看来铠侠PCIe5.0VD10哪怕面对全盘写入也没有出现过热掉速的现象,这个非常简约的散热贴居然还真撑住了……最后再进行3Dmark的存储基准测试,测试项目包含主流Steam平台游戏的加载、录制、安装、保存和移动,相对而言非常贴合游戏党的使用。在这个项目上铠侠PCIe5.0VD10获得3278分,带宽553.69MB/s,平均存取时间54μs,也是非常优秀的成绩。此测试的最终成绩会受到CPU单核性能、内存性能等多方面影响,因此铠侠PCIe5.0VD10的满血跑分可以跑得更高,甚至有网友使用铠侠PCIe5.0VD10和14代i9+DDR57200MT/s内存跑出接近5000分的表现。与此同时,我通过运行《赛博朋克2077》的基准测试对铠侠PCIe5.0VD10的游戏性能做了更贴近现实的测试。在测试中,我的RTX4070Super主机跑出了满血帧率,其中铠侠PCIe5.0VD10平均43℃的温控表现非常出色,在读图等环节都比我之前的PCIe4.0硬盘要快上不少。作为铠侠的首款PCIe5.0固态硬盘,铠侠PCIe5.0VD10的性能取向十分明确:并非一味追求高速而舍弃更多体验,反而是在极速和温度之间做了比较均衡的调教,再加上799元的亲民售价,更适合追求性价比和日常使用体验的大众玩家。这样的,显然会受到更多消费者的欢迎。
